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原標(biāo)題：蘋果極致LLM端側(cè)方案：LLM in a flash
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文章來源：算法邦
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內(nèi)容摘要：

700個(gè)開發(fā)硬件免費(fèi)申請?現(xiàn)金大獎(jiǎng)！生成式 AI、機(jī)器人 AI、PC AI 三大賽道！AMD Pervasive AI 開發(fā)者挑戰(zhàn)賽報(bào)名火熱進(jìn)行中，掃碼了解詳情并報(bào)名～導(dǎo)讀本文是知乎作者Civ對蘋果端側(cè)方案：LLM in a flash工作的整理總結(jié)，文內(nèi)主要介紹了蘋果如何從三個(gè)不同方面，利用閃存來解決大模型塞進(jìn)手機(jī)時(shí)遇到的內(nèi)存不足的問題。
原文地址：
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論文鏈接：LLM in a flash: Efficient Large Language Model Inference with Limited Memory
01Flash Memory and DRAM在移動端設(shè)備中（如手機(jī)），DRAM可理解為“運(yùn)行時(shí)內(nèi)存”，F(xiàn)lash Memory可理解為“存儲空間”。做一個(gè)簡單的類比，

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作者微信：allplusai
作者簡介：智猩猩矩陣賬號之一，連接青年AI學(xué)者，講解研究成果，分享系統(tǒng)思考。