AIGC動態歡迎閱讀

原標題：將摩爾定律推向新高度
關鍵字：晶體管,柵極,器件,納米,定律
文章來源：人工智能學家
內容字數：8466字

內容摘要：

過去50年里，影響最深遠的技術成就也許就是晶體管小型化的穩步推進，它們的集成密度越來越高、功耗越來越低。自從20多年前在英特爾開始職業生涯以來，我們就一直聽到這樣的警告：這種無窮小的演變即將結束。然而年復一年，優秀的新型創新成果還在繼續推動半導體行業進一步發展。
在這個過程中，我們工程師需要改變晶體管的架構，在提高性能的同時持續縮小其面積并降低功耗。帶領我們走過20世紀下半葉的“平面”晶體管設計，在21世紀10年代前半期被3D鰭狀器件取代。如今，隨著一種新的全環繞柵極（GAA）結構即將投入生產，這些3D鰭狀器件也即將被取代。但是我們必須看得更遠，因為我們縮小這種新型晶體管結構（我們稱之為“RibbonFET”）的能力也有限。
那么，未來的小型化工作要如何開展？我們將繼續關注第三維度。我們開發了可以互相堆疊的實驗裝置，能夠實現比原來小30%至50%的邏輯。至關重要的是，頂部和底部器件分屬N溝道金屬氧化物半導體（NMOS）和P溝道金屬氧化物半導體（PMOS）兩種互補類型，它們是過去幾十年里所有邏輯電路的基礎。我們相信這種3D堆疊的互補金屬氧化物半導體（CMOS）和互補場效應晶體管（CFET

原文鏈接：將摩爾定律推向新高度

聯系作者

文章來源：人工智能學家
作者微信：AItists
作者簡介：致力成為權威的人工智能科技媒體和前沿科技研究機構