AIGC動態歡迎閱讀
原標題:突發!美欲限制AI芯片核心技術GAA、高帶寬內存HBM出口
關鍵字:政策,芯片,納米,技術,柵極
文章來源:新智元
內容字數:0字
內容摘要:
新智元報道編輯:編輯部
【新智元導讀】外媒最新消息稱,美國正在考慮進一步限制中國獲得尖端半導體技術,包括用于制造AI加速器的關鍵硬件技術全環繞柵極(GAA)和高帶寬內存(HBM)。
彭博報道稱,美國正在考慮進一步限制中國獲取用于AI的尖端芯片技術。這項技術是制造尖端芯片「全環繞柵極」(GAA)晶體管技術。
另外,知情人士透露,高帶寬存儲器(HBM)的限制也在談判中。這些都是構建AI加速器的關鍵技術。
現有的制裁措施阻止了中國獲取用于3nm及以下生產所需的設備。
知情人士表示,目前還不知道美國何時會做出最終決定。專家們仍在研究如何制定這類規定的范圍。
尖端芯片核心技術GAA受限政策制定者的目標是,讓中國在開發和制造AI模型所需的高度復雜的計算系統加大難度。其中,GAA是目前最尖端芯片背后,關鍵技術所在。
GAA納米片晶體管在提高密度的同時,提供了功率和性能優勢,但它們僅用于最尖端的工藝節點。
目前,全世界只有三星在其3nm節點上生產這種技術。
2年前,得益于GAA,三星官宣3nm制程的芯片量產之際,使得芯片性能猛提30%,功耗暴降50%,而且面積也減少了35%。
此外,英特爾將
原文鏈接:突發!美欲限制AI芯片核心技術GAA、高帶寬內存HBM出口
聯系作者
文章來源:新智元
作者微信:AI_era
作者簡介:智能+中國主平臺,致力于推動中國從互聯網+邁向智能+新紀元。重點關注人工智能、機器人等前沿領域發展,關注人機融合、人工智能和機器人對人類社會與文明進化的影響,領航中國新智能時代。
? 版權聲明
文章版權歸作者所有,未經允許請勿轉載。
相關文章
暫無評論...